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NVMFD5853NLT1G	文件：126.69 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 40 V, 10 m, 34 A, Dual N.Channel Logic Level, Dual SO.8FL 文件：126.69 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFD5853NLT1G	文件：81.42 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：81.42 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFD5853NLWF	文件：126.69 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 40 V, 10 m, 34 A, Dual N.Channel Logic Level, Dual SO.8FL 文件：126.69 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
40
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
53
PD Max (W)：
58
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
Q1
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
24
Ciss Typ (pF)：
1225
Package Type：
SO-8FL Dual/DFN-8

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更多NVMFD5853N供应商更新时间2025-12-13 14:02:00

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