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|---|---|---|---|---|
NVMD6N03R2G | Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8 文件：343.11 Kbytes 页数：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
NVMD6N03R2G | Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8 文件：343.11 Kbytes 页数：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
NVMD6N03R2G | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
Power MOSFET 文件：74.75 Kbytes 页数：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8 文件：343.11 Kbytes 页数：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8 文件：343.11 Kbytes 页数：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
技术参数
- FET 功能：
逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：
30V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
6A
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
32 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
2.5V @ 250µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
30nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
950pF @ 24V
- 功率 - 最大值：
1.29W
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154\，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
8-SOIC |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
SOIC-8 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
22+ |
8SOIC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
8-SOIC |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOP-8 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
23+ |
8SOIC |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ON |
SOIC-8 |
21+ |
50000 |
原装正品现货 支持BOM配单! |
询价 | ||
onsemi |
25+ |
8-SOIC(0.154 3.90mm 宽) |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
SOP8 |
60000 |
询价 | |||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOP-8 |
986966 |
国产 |
询价 |
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更新时间2026-1-31 9:38:00
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- XRCGB25M000F3N00R0
- WNS40H100CG
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- TD62308APG
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