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NVMD6N03R2G_ONSEMI/安森美半导体_Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8博中泰实业

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1+
  • 厂家型号:

    NVMD6N03R2G

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    ONSEMI/安森美

  • 库存数量:

    60000

  • 产品封装:

    SOP8

  • 生产批号:

    24+

  • 库存类型:

    常用库存

  • 更新时间:

    2025-11-19 13:31:00

  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:NVMD6N03R2G品牌:ONSEMI/安森美

  • 芯片型号:

    NVMD6N03R2G

  • 规格书:

    下载

  • 企业简称:

    ONSEMI【安森美半导体】详情

  • 厂商全称:

    ON Semiconductor

  • 内容页数:

    8 页

  • 文件大小:

    343.11 kb

  • 资料说明:

    Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8

产品属性

  • 类型

    描述

  • 制造商编号

    :NVMD6N03R2G

  • 生产厂家

    :安森美

  • FET 功能

    :逻辑电平门

  • 漏源电压(Vdss)

    :30V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

    :6A

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

    :32 毫欧 @ 6A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    :2.5V @ 250µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

    :30nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

    :950pF @ 24V

  • 功率 - 最大值

    :1.29W

  • 工作温度

    :-55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :8-SOIC(0.154\,3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装

    :8-SOIC

供应商

  • 企业:

    深圳市博中泰实业有限公司

  • 商铺:

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  • 联系人:

    朱小姐

  • 手机:

    18923720076

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