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NVF6P02	文件：212.98 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET – Power, P-Channel, SOT-223 -10 A, -20 V Features • Low RDS(on) • Logic Level Gate Drive • Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery • Avalanche Energy Specified • NVF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable* • These Devices are Pb−Free 文件：212.98 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVF6P02	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道功率 MOSFET -20V，-10A，50mΩ Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. -20V, -10A, 50 mOhm, Single, P-Channel, SOT-223. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • Low rDS(on)\n• Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery\n• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVF6P02T3G	文件：212.98 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET – Power, P-Channel, SOT-223 -10 A, -20 V Features • Low RDS(on) • Logic Level Gate Drive • Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery • Avalanche Energy Specified • NVF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable* • These Devices are Pb−Free 文件：212.98 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVF6P02T3G	文件：112.66 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts 文件：112.66 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Compliance：
AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
Single P-Channel Power MOSFET -20V
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-20
VGS Max (V)：
118
VGS(th) Max (V)：
-1
ID Max (A)：
10
PD Max (W)：
8.3
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
70
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
50
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
Condition
Ciss Typ (pF)：
900
Package Type：
SOT-223 (TO-261) 4 LEAD

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