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NVE4153N中文资料单 N 沟道,小信号 MOSFET,带 ESD 防护,20V,915mA,230mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NVE4153N

功能描述

单 N 沟道,小信号 MOSFET,带 ESD 防护,20V,915mA,230mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 8:23:00

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NVE4153N规格书详情

描述 Description

Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. 20V 915mA 230mΩ Single N-Channel SC-89 with ESD Protection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

特性 Features

• Low RDS(on) Improving System Efficiency
• Low Threshold Voltage, 1.5V Rated
• ESD Protected Gate
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

应用 Application

• Load/Power Switches
• Power Supply Converter Circuits
• Battery Management
• Portable Devices
• Cell Phones
• PDAs
• Digital Cameras
• Pagers

技术参数

  • 制造商编号

    :NVE4153N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :6

  • VGS(th) Max (V)

    :1.1

  • ID Max (A)

    :0.915

  • PD Max (W)

    :0.3

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :170

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :127

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :1.82

  • Ciss Typ (pF)

    :110

  • Package Type

    :SC-89-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON Semiconductor
2022+
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6800
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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