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NVEWJ048Z-V1	文件：933.95 Kbytes Page：43 Pages	SPECIFICATIONS FOR WHITE LED 文件：933.95 Kbytes 页数：43 Pages	NICHIA 日亚	NICHIA
NVEWL016Z-V1	文件：946.31 Kbytes Page：43 Pages	SPECIFICATIONS FOR WHITE LED 文件：946.31 Kbytes 页数：43 Pages	NICHIA 日亚	NICHIA
NVE AFL030-00E	文件：300 bytes Page：1 Pages	GMR low power switch sensor • Motion, speed, and position control\n• Portable instruments\n• Noncontact over current protection\n• Battery powered applications\n;	Rhopoint	Rhopoint
NVE AFL200-00E	文件：300 bytes Page：1 Pages	GMR low power switch sensor • Motion, speed, and position control\n• Portable instruments\n• Noncontact over current protection\n• Battery powered applications\n;	Rhopoint	Rhopoint
NVE4153N	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，小信号 MOSFET，带 ESD 防护，20V，915mA，230mΩ Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. 20V 915mA 230mΩ Single N-Channel SC-89 with ESD Protection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • Low RDS(on) Improving System Efficiency\n• Low Threshold Voltage, 1.5V Rated\n• ESD Protected Gate\n• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVE031E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：开发板，套件，编程器评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS 描述：GANFAST DESIGN KIT, 150W AC-19V	Navitas Semiconductor, Inc.	Navitas Semiconductor, Inc.

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
20
VGS Max (V)：
6
VGS(th) Max (V)：
1.1
ID Max (A)：
0.915
PD Max (W)：
0.3
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
170
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
127
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
1.82
Ciss Typ (pF)：
110
Package Type：
SC-89-3

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