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NVD5C648NL	文件：85.46 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：85.46 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD5C648NL	文件：309.75 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：309.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NVD5C648NLT4G	文件：1.06765 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON) 文件：1.06765 Mbytes 页数：4 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
NVD5C648NLT4G	文件：85.46 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：85.46 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD5C648NL	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，60V，89A，4.1mΩ Automotive Power MOSFET in a DPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • Low on-resistance\n• Minimal conduction losses\n• High current capability\n• Robust load performance\n• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多NVD5C648NL供应商更新时间2026-1-29 15:08:00