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NVD5890N 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个 ONSEMI/安森美半导体

NVD5890NNVD5890N参考图片

图片仅供参考,请参阅产品规格书

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1+
  • 厂家型号:

    NVD5890N

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    ON/安森美

  • 库存数量:

    505348

  • 产品封装:

    TO-252

  • 生产批号:

    24+

  • 库存类型:

    优势库存

  • 更新时间:

    2025-7-31 16:40:00

  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:NVD5890N品牌:ON/安森美

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NVD5890N是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个。制造商ON/安森美/onsemi生产封装TO-252/的NVD5890N晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

  • 芯片型号:

    NVD5890N

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    ONSEMI【安森美半导体】详情

  • 厂商全称:

    ON Semiconductor

  • 中文名称:

    安森美半导体公司

  • 内容页数:

    8 页

  • 文件大小:

    217.46 kb

  • 资料说明:

    Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N?묬hannel DPAK

产品属性

更多
  • 类型

    描述

  • 型号

    :NVD5890N

  • Compliance

    :AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : Power MOSFET 40V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3.5

  • ID Max (A)

    :123

  • PD Max (W)

    :107

  • GS = 2.5 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    : 

  • GS = 4.5 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    : 

  • GS = 10 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :3.7

  • GS = 4.5 V\ style=\cursor:help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    : 

  • GS = 10 V\ style=\cursor:help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :74

  • Ciss Typ (pF)

    :4975

  • Package Type

    :DPAK-3

供应商

  • 企业:

    深圳市汇莱威科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺留言

  • 联系人:

    朱小姐

  • 手机:

    18126328660

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