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NVD4C05N

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 90A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.1mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Power Supplies ·Inductive Loads ·Power Motor Control

文件:299.04 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NVD4C05N

Single N?묬hannel Power MOSFET

文件:65.05 Kbytes 页数:3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVD4C05NT4G

丝印:DPAK;Package:TO-252;Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:250.23 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NVD4C05N

单 N 沟道,功率 MOSFET,30V,90A,4.1mΩ

Automotive Power MOSFET 30V, 90A, 4.1 mOhm, Single N−Channel, DPAK, Logic Level. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • Low RDS(on) \n• Minimize Conduction Losses\n• Low QG and Capacitance\n• Minimize Driver Losses\n• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

NVD4C05NT4G

包装:盒 描述:MOSFET N-CH 30V DPAK-3

ONSEMI

安森美半导体

NVD4C05NT4G

包装:盒 描述:MOSFET N-CH 30V DPAK-3

ONSEMI

安森美半导体

NVD4C05NT4G

包装:盒 描述:MOSFET N-CH 30V DPAK-3

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    2.2

  • ID Max (A):

    61

  • PD Max (W):

    57

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    6

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    4.1

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    14

  • Ciss Typ (pF):

    1970

  • Package Type:

    DPAK-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
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更多NVD4C05N供应商 更新时间2025-11-30 11:00:00