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NTD20N03L27	文件：100.86 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD20N03L27	文件：260.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=31mΩ(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD20N03L27	文件：212.67 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET–Power,N-Channel,DPAK20A,30V ThislogiclevelverticalpowerMOSFETisageneralpurposepart thatprovidesthe“bestofdesign”availabletodayinalowcostpower package.Avalancheenergyissuesmakethispartanidealdesignin. Thedrain−to−sourcediodehasaidealfastbutsoftrecovery. Features •Ultra−LowRDS(	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
NVD20N03L27
制造商：
ON Semiconductor
功能描述：
NFET DPAK 30V 20A 0.027R - Tape and Reel
功能描述：
MOSFET NFET DPAK 30V 20A 0.027R
功能描述：
REEL/NFET DPAK 30V 20A 0.027R

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