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NVB099N65S3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V , 30 A, 99 mΩ, D2PAK - SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior swi • Low RDS (ON)\n• Minimize Conduction Losses\n• Low QG and Capacitance\n• Minimize Driver Losses\n• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable\n• Gull-wings to improve Board Level Reliability results\n• RoHS Compliant\n• Automotive Qualified;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVB099N65S3	文件：267.41 Kbytes Page：9 Pages	丝印：NVB099N65S3；Package：D2-PAK；MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, Automotive, Easy Drive 文件：267.41 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FCB099N65S3	文件：328.06 Kbytes Page：10 Pages	MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 30 A, 99 m Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, pro 文件：328.06 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FCH099N65S3	文件：405.94 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：405.94 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FCMT099N65S3	文件：787.66 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel SuperFET MOSFET 文件：787.66 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
650
VGS Max (V)：
30
VGS(th) Max (V)：
4.5
ID Max (A)：
30
PD Max (W)：
227
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
99
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
61
Ciss Typ (pF)：
2480
Package Type：
D2PAK-3/TO-263-2

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