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NVATS5A112PLZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	P 沟道，功率 MOSFET，-60V，-27A，43mΩ; • Low On-Resistance\n• Minimizes Conduction Losses,Reduces Heat Dissipation\n• High Current Capability\n• Robust Load Performance\n• 100% Avalanche Tested\n• Safeguard Against Voltage Overstress Failures\n• AEC-Q101 qualified and PPAP capable\n• Suitable for Automotive Applications\n• RoHS compliance\n• Environmental Consideration\n• ATPAK Package is Pin-Compatible with DPAK(TO-252)\n• Enable Replace DPAK with ATPAK without Changing Land Patterns\n; Automotive Power MOSFET designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. ATPAK devices are Low on-resistance, High current capability and pin-compatible with DPAK(TO-252). AEC-Q101 qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NVATS5A112PLZT4G	文件：865.47 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NVATS5A112PLZ

文件：300 bytes

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P 沟道，功率 MOSFET，-60V，-27A，43mΩ; • Low On-Resistance\n• Minimizes Conduction Losses,Reduces Heat Dissipation\n• High Current Capability\n• Robust Load Performance\n• 100% Avalanche Tested\n• Safeguard Against Voltage Overstress Failures\n• AEC-Q101 qualified and PPAP capable\n• Suitable for Automotive Applications\n• RoHS compliance\n• Environmental Consideration\n• ATPAK Package is Pin-Compatible with DPAK(TO-252)\n• Enable Replace DPAK with ATPAK without Changing Land Patterns\n;

Automotive Power MOSFET designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. ATPAK devices are Low on-resistance, High current capability and pin-compatible with DPAK(TO-252). AEC-Q101 qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NVATS5A112PLZ

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Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

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NVATS5A112PLZT4G

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Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
-2.6
ID Max (A)：
-27
PD Max (W)：
48
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
59
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
43
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
33.5
Ciss Typ (pF)：
1450
Package Type：
DPAK (Single Gauge)/ATPAK

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