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NVATS5A108PLZ	文件：829.19 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：829.19 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVATS5A108PLZT4G	文件：829.19 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：829.19 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVATS5A108PLZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	P 沟道，功率 MOSFET，-40V，-77A，10.4mΩ Automotive Power MOSFET designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. ATPAK devices are Low on-resistance, High current capability and pin-compatible with DPAK(TO-252). AEC-Q101 qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • Low On-Resistance\n• Minimizes Conduction Losses, Reduces Heat generation\n• High Current Capability\n• Robust Load Performance\n• 100% Avalanche Tested\n• Safeguard Against Voltage Overstress Failures\n• AEC-Q101 qualified and PPAP capable\n• Suitable for Automotive Applications\n• ATPAK pack;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD5865NLT4G	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	VB 上传：深圳市恒佳微电子有限公司	VB
NVD5C464NT4G	文件：0 bytes Page：0 Pages		安森美半导体上传：深圳市微纪元电子有限公司	安森美半导体

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-40
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
-2.6
ID Max (A)：
-77
PD Max (W)：
72
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
16.5
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
10.4
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
79.5
Ciss Typ (pF)：
3850
Package Type：
DPAK (Single Gauge)/ATPAK

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