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NTTFS015N04C	文件：206.82 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET ??Power, Single, N-Channel 40 V, 17.3 m, 27 A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTTFS015N04CTAG	文件：206.82 Kbytes Page：7 Pages	Marking：15NC；Package：WDFN8；MOSFET ??Power, Single, N-Channel 40 V, 17.3 m, 27 A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AUB015N04	文件：2.15287 Mbytes Page：12 Pages	MOSFETSiliconN-ChannelMOS Applications Single-endedflybackortwo-transistorforwardtopologies. PCpower,PDAdaptor,LCD&PDPTVandLEDlighting. Features Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.2mΩ(typ.) EasytocontrolGateswitching Enhancementmode:Vth=2.5to4.5V	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
AUP015N04	文件：2.15287 Mbytes Page：12 Pages	MOSFETSiliconN-ChannelMOS Applications Single-endedflybackortwo-transistorforwardtopologies. PCpower,PDAdaptor,LCD&PDPTVandLEDlighting. Features Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.2mΩ(typ.) EasytocontrolGateswitching Enhancementmode:Vth=2.5to4.5V	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
AUP015N04	文件：2.15287 Mbytes Page：12 Pages	MOSFETSiliconN-ChannelMOS Applications Single-endedflybackortwo-transistorforwardtopologies. PCpower,PDAdaptor,LCD&PDPTVandLEDlighting. Features Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.2mΩ(typ.) EasytocontrolGateswitching Enhancementmode:Vth=2.5to4.5V	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
FDMS015N04B	文件：3.23672 Mbytes Page：12 Pages	NewProducts,TipsandToolsforPowerandMobileApplications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IIPP015N04N	文件：337.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPB015N04L	文件：263.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPB015N04LG	文件：448.82 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS3Power-Transistor OptiMOS™3Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •100Ava	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB015N04N	文件：299.07 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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