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NTTFS005N04C	文件：201.24 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 40 V, 5.6 m, 69 A, Single N?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTTFS005N04CTAG	文件：201.24 Kbytes Page：7 Pages	Marking：05NC；Package：WDFN8；Power MOSFET 40 V, 5.6 m, 69 A, Single N?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NVTYS005N04C	文件：340.08 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,SingleN-Channel40V,5.6m,71A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTYS005N04CL	文件：332.37 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,SingleN-Channel40V,4.8m,75A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTYS005N04CLTWG	文件：332.37 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,SingleN-Channel40V,4.8m,75A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTYS005N04CTWG	文件：340.08 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,SingleN-Channel40V,5.6m,71A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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