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NTTFS004N04C	文件：212.91 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET ??Power, Single, N-Channel 40 V, 4.9 m, 77 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTTFS004N04CTAG	文件：212.91 Kbytes Page：7 Pages	Marking：04NC；Package：WDFN8；MOSFET ??Power, Single, N-Channel 40 V, 4.9 m, 77 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFWS004N04XM	文件：143.95 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,STDGate,SO8FL40V,4.7m,66A Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications •MotorDrive •Batt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFS004N04C	文件：216.95 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET–Power,SingleN-Channel40V,4.9m,77A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS004N04C−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFS004N04CTAG	文件：216.95 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET–Power,SingleN-Channel40V,4.9m,77A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS004N04C−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFWS004N04CTAG	文件：216.95 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET–Power,SingleN-Channel40V,4.9m,77A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS004N04C−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTYS004N04C	文件：339.11 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel40V,4.9m,78A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTYS004N04CL	文件：337.2 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel40V,4.3m,85A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTYS004N04CLTWG	文件：337.2 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel40V,4.3m,85A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTYS004N04CTWG	文件：339.11 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel40V,4.9m,78A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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