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NTR4503N数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

NTR4503N

参数属性

NTR4503N 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23

功能描述

单 N 沟道功率 MOSFET 30V,2.5A,110mΩ
MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 11:45:00

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NTR4503N规格书详情

描述 Description

This 30 V N-Channel Small Signal MOSFET is designed with ON Semiconductors leading Planar Technology for Low Gate Charge resulting in a fast switching device. This performance is particularly suited for DC to DC conversion or low side power switching applications. The small SOT-23 (3.0 x 3.0 mm) package makes this part ideal for Notebook Computer and other Portable Applications.

特性 Features

• Leading Planar Technolgy for Low Gate Charge/Fast Switching
• 4.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive
• SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3x3mm)
• RoHS Compliant

应用 Application

• DC-DC Conversion
• Load/Power Switch for Portables
• Load/Power Switch for Computing

简介

NTR4503N属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的NTR4503N晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NTR4503N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :0.14

  • PD Max (W)

    :0.73

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :105

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :85

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :1

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :3.6

  • Ciss Typ (pF)

    :135

  • Package Type

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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