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NTP082N65S3F	文件：387.27 Kbytes Page：10 Pages	丝印：NTP082N65S3F；Package：TO-220；MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 40 A, 82 m 文件：387.27 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP082N65S3F	文件：319.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：319.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTP082N65S3F	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® III，FRFET®，650 V，40 A，82 mΩ，TO-220 SuperFET® III MOSFET is ON Semiconductor’s brand-new\nhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing\ncharge balance technology for outstanding low on-resistance\nand lower gate charge performance. This advanced technology\nis tailored to minimize conduction loss, provide superior • 700 V @ TJ = 150 °C\n• Higher system reliability at low temperature operation\n• Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 81 nC)\n• Lower switching loss\n• Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 722 pF)\n• Lower switching loss\n• Optimized Capacitance\n• Lower peak Vds and lower Vgs oscillati;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP082N65S3HF	文件：404.4 Kbytes Page：10 Pages	MOSFET - Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET 文件：404.4 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTPF082N65S3F	文件：260.98 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：260.98 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTPF082N65S3F	文件：325.24 Kbytes Page：10 Pages	MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 40 A, 82 m 文件：325.24 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
650
VGS Max (V)：
30
VGS(th) Max (V)：
4.5
ID Max (A)：
40
PD Max (W)：
313
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
82
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
81
Ciss Typ (pF)：
3410
Package Type：
TO-220-3

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