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NTMTS0D4N04CL

MOSFET - Power, Single N-Channel 40 V, 0.4 m, 553.8 A

文件:400.4 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMTS0D4N04CLTXG

丝印:0D4N04CL;Package:POWER88;MOSFET - Power, Single N-Channel 40 V, 0.4 m, 553.8 A

文件:400.4 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMTS0D4N04CL

单 N 沟道功率 MOSFET 40V,553.8A,0.4mΩ,PQFN 8x8

This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

ONSEMI

安森美半导体

NTMTS0D4N04CLTXG

MOSFET AFSM T6 40V LL NCH

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    40

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    2.5

  • ID Max (A):

    553.8

  • PD Max (W):

    5

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    0.64

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    0.4

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    163

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    341

  • Ciss Typ (pF):

    20600

  • Package Type:

    DFNW-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NTMTS0D4N04CL供应商 更新时间2025-12-1 12:00:00