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NTMTS001N06CLTXG	文件：364.03 Kbytes Page：7 Pages	Marking：001N06CL；Package：POWER88；Power MOSFET 60 V, 0.81 m, 398.2 A, Single N?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMTS001N06CTXG	文件：311.78 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET60V,0.91m,376A,SingleN?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVBLS001N06C	文件：406.54 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,TOLL60V,0.9m,422A Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •LowersSwitchingNoise/EMI •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMTS001N06C	文件：400.42 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,SingleN-Channel60V,0.91m,376A Features •SmallFootprint(8x8mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •WettableFlankPlatedforEnhancedOpticalInspection •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMTS001N06CL	文件：401.46 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,SingleN-Channel60V,0.81m,398.2A Features •SmallFootprint(8x8mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •Power88Package,IndustryStandard •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •WettableFlankPlatedforEnhancedOpticalInspection •TheseD	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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