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NVMTS001N06C分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

NVMTS001N06C
厂商型号

NVMTS001N06C

参数属性

NVMTS001N06C 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSI

功能描述

MOSFET ??Power, Single N-Channel 60 V, 0.91 m, 376 A
T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSI

文件大小

400.42 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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NVMTS001N06C规格书详情

NVMTS001N06C属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由安森美半导体公司制造生产的NVMTS001N06C晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

特性 Features

• Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• Wettable Flank Plated for Enhanced Optical Inspection

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NVMTS001N06CLTXG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    56.9A(Ta),398.2A(Tc)

  • 描述:

    T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSI

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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