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NTMT045N065SC1_V01	文件：557.7 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 33 mohm, 650V, M2, Power88 Features Typ.RDS(on)=33m@VGS=18V Typ.RDS(on)=45m@VGS=15V UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=162pF) 100AvalancheTested TJ=175C RoHSCompliant TypicalApplications SMPS(SwitchingModePowerSupplies)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG045N065SC1_V01	文件：325.13 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–31mohm,650V,M2,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=31m@VGS=18V Typ.RDS(on)=45m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=168pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(o	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 33 mohm, 650V, M2, Power88

Features Typ.RDS(on)=33m@VGS=18V Typ.RDS(on)=45m@VGS=15V UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=162pF) 100AvalancheTested TJ=175C RoHSCompliant TypicalApplications SMPS(SwitchingModePowerSupplies)

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SiliconCarbide(SiC)MOSFET–31mohm,650V,M2,D2PAK-7L

Features •Typ.RDS(on)=31m@VGS=18V Typ.RDS(on)=45m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=168pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(o

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