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NTMSD6N303R2G数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NTMSD6N303R2G

功能描述

Power MOSFET 6 Amps, 30 Volts N−Channel SO−8 FETKY

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 8:41:00

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技术参数

  • 型号:

    NTMSD6N303R2G

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 6A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
21+
SOP-8
10000
原装现货假一罚十
询价
ON/安森美
22+
NA
8435
可订货 请确认
询价
ON Semiconductor
2022+
8-SOIC(0.154
38550
询价
ON/安森美
23+
SOP-8
89630
当天发货全新原装现货
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ON/安森美
24+
NA/
3420
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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ON
22+
8-SOICN
25000
只有原装原装,支持BOM配单
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ON
2023+
SOIC-8
50000
原装现货
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ON/安森美
23+
NA
25630
原装正品
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ON
24+
SOIC-8
3000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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ON
23+
SOP8
9562
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