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NTMS5P02数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NTMS5P02

功能描述

单 P 沟道增强模式功率 MOSFET -20V,-5.4A,33mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 18:12:00

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NTMS5P02规格书详情

描述 Description

This is a 20 V P-Channel Power MOSFET.

特性 Features

• High Density Power MOSFET with Ultra Low RDS(on) Providing Higher Efficiency
• Miniature SO-8 Surface Mount Package--Saves Board Space
• Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery
• IDSS Specified at Elevated Temperature
• Drain-to-Source Avalanche Energy Specified
• Mounting Information for the SOIC-8 Package is Provided
• RoHS Compliant

应用 Application

• Power Management in Portable and Battery-Powered Products
• Computers
• Printers
• PCMCIA Cards
• Cellular & Cordless Telephones

技术参数

  • 制造商编号

    :NTMS5P02

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :10

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.25

  • ID Max (A)

    :-5.4

  • PD Max (W)

    :2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :48

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :33

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :48

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :4

  • Ciss Typ (pF)

    :1375

  • Package Type

    :SOIC-8

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