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NTMS4P01R2

P?묬hannel Enhancement?묺ode Power MOSFET

文件:232.72 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMS4P01R2

P−Channel Enhancement−Mode Power MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

MMSF4P01HD

Power MOSFET

文件:264.22 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMSF4P01HD

SINGLE TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 12 VOLTS

Medium Power Surface Mount Products TMOS P-Channel Field Effect Transistors MiniMOS™ devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density HDTMOS process. These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. They a

文件:297.06 Kbytes 页数:10 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

详细参数

  • 型号:

    NTMS4P01

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi
25+
8-SOIC
11543
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
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ONS
24+
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5000
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ON Semiconductor
22+
8SOIC
9000
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ON Semiconductor
2022+
8-SOIC(0.154
38550
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8-SOICN
25000
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23+
8SOIC
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ONSEMI/安森美
2450+
SOP-8
9850
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8-SOIC
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更多NTMS4P01供应商 更新时间2026-3-17 9:38:00