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NTMJS1D2N04CL	文件：356.69 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 40 V, 1.2 m, 237 A, Single N?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMJS1D2N04CLTWG	文件：356.69 Kbytes Page：7 Pages	Marking：1D2N04CL；Package：LFPAK8；Power MOSFET 40 V, 1.2 m, 237 A, Single N?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMYS1D2N04CL	文件：343.77 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,Single,N-Channel40V,1.1m,258A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NVMJS1D2N04CL	文件：374.42 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,SingleN-Channel40V,1.2m,237A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •LFPAK8Package,IndustryStandard •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMJS1D2N04CLTWG	文件：374.42 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,SingleN-Channel40V,1.2m,237A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •LFPAK8Package,IndustryStandard •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMJST1D2N04C	文件：327.79 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET–Power,SingleN-Channel40V,1.25m,451A Features •SmallFootprint(5x7mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •TCPAK575x7TopCoolPackage •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMJST1D2N04CTXG	文件：327.79 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET–Power,SingleN-Channel40V,1.25m,451A Features •SmallFootprint(5x7mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •TCPAK575x7TopCoolPackage •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMYS1D2N04CL	文件：342.62 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,SingleN-Channel40V,1.1m,258A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •LFPAK4Package,IndustryStandard •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMYS1D2N04CLTWG	文件：342.62 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,SingleN-Channel40V,1.1m,258A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •LFPAK4Package,IndustryStandard •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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