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NTMJS1D2N04CL

Power MOSFET 40 V, 1.2 m, 237 A, Single N?묬hannel

文件:356.69 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMJS1D2N04CLTWG

丝印:1D2N04CL;Package:LFPAK8;Power MOSFET 40 V, 1.2 m, 237 A, Single N?묬hannel

文件:356.69 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMJS1D2N04CL

功率 MOSFET,40 V,1.2 mΩ,237 A,单 N 沟道

Industrial Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.

ONSEMI

安森美半导体

NTMYS1D2N04CL

MOSFET ??Power, Single, N-Channel 40 V, 1.1 m, 258 A

文件:343.77 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMYS1D2N04CLTWG

MOSFET ??Power, Single, N-Channel 40 V, 1.1 m, 258 A

文件:343.77 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVMJS1D2N04CL

MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 1.2 m, 237 A

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • LFPAK8 Package, Industry Standard • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

文件:374.42 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    40

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    2

  • ID Max (A):

    237

  • PD Max (W):

    128

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    1.8

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    1.2

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    44

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    93

  • Ciss Typ (pF):

    5600

  • Package Type:

    LFPAK-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON Semiconductor
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更多NTMJS1D2N04CL供应商 更新时间2025-10-6 8:24:00