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NTMJS0D9N04C

MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 0.81 m, 342 A

文件:372.14 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMJS0D9N04CL

MOSFET ??Power, Single, N-Channel 40 V, 0.82 m, 330 A

文件:362.25 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMJS0D9N04CLTWG

丝印:0D9N04CL;Package:LFPAK8;MOSFET ??Power, Single, N-Channel 40 V, 0.82 m, 330 A

文件:362.25 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMJS0D9N04CTWG

丝印:0D9N04C;Package:LFPAK8;MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 0.81 m, 342 A

文件:372.14 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMJS0D9N04C

Power MOSFET 40 V, 0.81Ω, 342 A, Single N-Channel

Industrial Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. • Ultra Low RDS-on\n• Low Conduction Loss\n• LFPAK-E Package\n• Industry Standard Packaging;

ONSEMI

安森美半导体

NTMJS0D9N04CL

功率 MOSFET,40 V,0.82Ω,330 A,单 N 沟道

Industrial Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    40

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    342

  • PD Max (W):

    4.2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    \-\

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    \-\

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    0.81

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    \-\

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    117

  • Ciss Typ (pF):

    7400

  • Package Type:

    LFPAK-8

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更多NTMJS0D9N04C供应商 更新时间2025-10-7 8:24:00