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NTMFS5H663NLT1G	文件：207.29 Kbytes Page：7 Pages	Marking：5H663L；Package：DFN5；MOSFET – Power, Single, N-Channel 60 V, 7.2 m, 61 A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFS5H663NLT1G	文件：185.44 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET??Power,SingleN-Channel60V,7.2m,67A NVMFS5H663NLWF−WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection. Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Freean	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTMFS5H663NLT1G

文件：207.29 Kbytes

Page：7 Pages

Marking：5H663L；Package：DFN5；MOSFET – Power, Single, N-Channel 60 V, 7.2 m, 61 A

Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

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MOSFET??Power,SingleN-Channel60V,7.2m,67A

NVMFS5H663NLWF−WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection. Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Freean

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安森美半导体安森美半导体公司

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