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NTMFS4C302N中文资料单 N 沟道,逻辑电平,功率 MOSFET,30 V,230 A,1.15 mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTMFS4C302N

功能描述

单 N 沟道,逻辑电平,功率 MOSFET,30 V,230 A,1.15 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-16 19:09:00

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NTMFS4C302N规格书详情

描述 Description

The NTMFS4C302N is a Single N-Channel Power MOSFET with a small footprint that is perfect for compact designs.

特性 Features

• Small Footprint (5 x 6 mm)
• Compact Design
• Low RDS(on)
• Minimize Conduction Losses
• Low QG and Capacitance
• Minimize Driver Losses
• RoHS Compliant

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications

技术参数

  • 制造商编号

    :NTMFS4C302N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.2

  • ID Max (A)

    :230

  • PD Max (W)

    :96

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :1.7

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1.15

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :37

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :82

  • Ciss Typ (pF)

    :5780

  • Package Type

    :SO-8FL/DFN-5

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