NTMFS4C09N中文资料单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，52A，5.8mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

Power MOSFET 30 V, 52 A, Single N−Channel, SO−8 FL

特性 Features

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
• RoHS Compliant

应用 Application

• CPU Power Delivery
• DC-DC Converters

简介

NTMFS4C09N属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的NTMFS4C09N晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。