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NTMFS4C09N数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

NTMFS4C09N

参数属性

NTMFS4C09N 包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 30V SO8FL

功能描述

单 N 沟道,功率 MOSFET,30V,52A,5.8mΩ
MOSFET N-CH 30V SO8FL

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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NTMFS4C09N规格书详情

描述 Description

Power MOSFET 30 V, 52 A, Single N−Channel, SO−8 FL

特性 Features

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
• RoHS Compliant

应用 Application

• CPU Power Delivery
• DC-DC Converters

简介

NTMFS4C09N属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的NTMFS4C09N晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NTMFS4C09N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.1

  • ID Max (A)

    :52

  • PD Max (W)

    :25.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :8.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :5.8

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :10.9

  • Ciss Typ (pF)

    :1252

  • Package Type

    :SO-8FL/DFN-5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
24+
SO8FL
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