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NTMFS4C09N

Power MOSFET

文件:94.25 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMFS4C09N

Power MOSFET 30 V, 52 A, Single N?묬hannel, SO?? FL

文件:132.46 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMFS4C09NT1G

Power MOSFET

文件:94.25 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMFS4C09NT1G

Power MOSFET 30 V, 52 A, Single N?묬hannel, SO?? FL

文件:132.46 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMFS4C09NT3G

Power MOSFET

文件:94.25 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMFS4C09NT3G

Power MOSFET 30 V, 52 A, Single N?묬hannel, SO?? FL

文件:132.46 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMFS4C09N

单 N 沟道,功率 MOSFET,30V,52A,5.8mΩ

Power MOSFET 30 V, 52 A, Single N−Channel, SO−8 FL • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

NTMFS4C09NBT1G

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET N-CH 30V SO8FL

ONSEMI

安森美半导体

NTMFS4C09NBT3G

包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET N-CH 30V SO8FL

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    2.1

  • ID Max (A):

    52

  • PD Max (W):

    25.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    8.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    5.8

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    10.9

  • Ciss Typ (pF):

    1252

  • Package Type:

    SO-8FL/DFN-5

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON(安森美)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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ON(安森美)
23+
标准封装
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标准封装
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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标准封装
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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ON(安森美)
2021/2022+
标准封装
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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ON(安森美)
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标准封装
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ON(安森美)
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标准封装
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公司只做原装,详情请咨询
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ON(安森美)
25+
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原装,请咨询
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ON(安森美)
2511
标准封装
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电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
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更多NTMFS4C09N供应商 更新时间2025-10-8 10:46:00