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NTMFS3D5N08XT1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTMFS3D5N08XT1G

功能描述

MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 80 V, 3 m, 135 A

丝印标识

3D5N08

封装外壳

DFN5

文件大小

147.38 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-9 20:36:00

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NTMFS3D5N08XT1G规格书详情

特性 Features

• Low QRR, Soft Recovery Body Diode

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

Typical Applications

• Synchronous Rectification (SR) in DC−DC and AC−DC

• Primary Switch in Isolated DC−DC Converter

• Motor Drives

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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