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NTMFD5C462NL中文资料Power MOSFET 40V, 84A, 4.7 mOhm, Dual N-Channel, SO8-FL, Logic Level.数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTMFD5C462NL

参数属性

NTMFD5C462NL 包装为卷带(TR)卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:T6 40V LL S08FL DS

功能描述

Power MOSFET 40V, 84A, 4.7 mOhm, Dual N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
T6 40V LL S08FL DS

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 11:20:00

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NTMFD5C462NL规格书详情

描述 Description

Industrial Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.

特性 Features

• Low on resistance
• Minimal conduction losses
• High current capability
• Robust load performance
• 100% avalanche tested
• Safeguard against voltage overstress failures
• Pb-Free
• RoHS Compliant
• Small fooprint (5x6 mm)
• Compact Design

应用 Application

• Motor Control
• Synchronous Rectification
• Power Switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
• Battery Management and Protection
• Power Supplies
• Power Tools
• Rotary Drones
• Battery Packs and ESS

简介

NTMFD5C462NL属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的NTMFD5C462NL晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NTMFD5C462NL

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.2

  • ID Max (A)

    :84

  • PD Max (W)

    :3

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :7.7

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :4.7

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :11

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :23

  • Ciss Typ (pF)

    :1300

  • Package Type

    :SO-8FL Dual/DFN-8

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