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NTMFD5C462NL	文件：219.36 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 40 V, 4.7 m, 84 A, Dual N?묬hannel 文件：219.36 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFD5C462NLT1G	文件：219.36 Kbytes Page：7 Pages	丝印：5C462L；Package：DFN8；Power MOSFET 40 V, 4.7 m, 84 A, Dual N?묬hannel 文件：219.36 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFD5C462NL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET 40V, 84A, 4.7 mOhm, Dual N-Channel, SO8-FL, Logic Level. Industrial Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. • Low on resistance\n• Minimal conduction losses\n• High current capability\n• Robust load performance\n• 100% avalanche tested\n• Safeguard against voltage overstress failures\n• Pb-Free\n• RoHS Compliant\n• Small fooprint (5x6 mm)\n• Compact Design;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFD5C462NLT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET T6 40V LL S08FL DS	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFD5C462NLT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列描述：T6 40V LL S08FL DS	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
40
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.2
ID Max (A)：
84
PD Max (W)：
3
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
7.7
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
4.7
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
11
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
23
Ciss Typ (pF)：
1300
Package Type：
SO-8FL Dual/DFN-8

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更多NTMFD5C462NL供应商更新时间2025-10-10 15:08:00

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