| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
- 厂家型号：
NTMFD4C86NT1G
- 产品分类：
芯片
- 生产厂商：
ON
- 库存数量：
20000
- 产品封装：
DFN8
- 生产批号：
22+
- 库存类型：
- 更新时间：
2025-12-18 15:01:00
首页>NTMFD4C86NT1G>芯片详情
NTMFD4C86NT1G_ON_Dual N-Channel SO8FL创新迹商城
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
：NTMFD4C86NT1G
- 生产厂家
：安森美
- FET 功能
：标准
- 漏源电压（Vdss）
：30V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：11.3A，18.1A
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：5.4 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：2.2V @ 250µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：22.2nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：1153pF @ 15V
- 功率 - 最大值
：1.1W
- 工作温度
：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装
：8-DFN（5x6）
供应商
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- NTMFD5C470NLT1G
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- NTMFD5C672NL
- NTMFD4902NFT1G
- NTMFD5C672NLT1G
- NTMFD4902NF1G
- NTMFD5C674NL
- NTMFD4902NF
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