| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
NTMD6N02 | 双 N 沟道，增强模式功率 MOSFET，20V，6.5A，35mΩ Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts N−Channel Enhancement Mode Dual SO−8 Package • Ultra Low RDS(on)\n• Higher Efficiency Extending Battery Life\n• Logic Level Gate Drive\n• Miniature Dual SO-8 Surface Mount Package\n• Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery\n• Avalanche Energy Specified\n• SO-8 Mounting Information Provided; | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts 文件：71.29 Kbytes 页数：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts 文件：80.25 Kbytes 页数：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts 文件：80.25 Kbytes 页数：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts 文件：80.25 Kbytes 页数：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：983.82 Kbytes 页数：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI |
技术参数
- Pb-free：
Pb
- Halide free：
H
- Status：
Active
- Channel Polarity：
N-Channel
- Configuration：
Dual
- V(BR)DSS Min (V)：
20
- VGS Max (V)：
12
- VGS(th) Max (V)：
1.2
- ID Max (A)：
6
- PD Max (W)：
2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=49
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=35
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
20
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
12
- Ciss Typ (pF)：
785
- Package Type：
SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOP-8 |
20300 |
ONSEMI/安森美原装特价NTMD6N02即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
20+ |
SOP-8 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
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23+ |
SO-8 |
7000 |
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3000 |
公司存货 |
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SOP-8 |
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ON/安森美 |
23+ |
SO-8 |
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原装正品代理渠道价格优势 |
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ON |
25+ |
SOP8 |
45000 |
普通 |
询价 | ||
ON/安森美 |
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SO-8 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
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ON/安森美 |
25+ |
SOIC-8 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOP-8 |
15000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 |
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