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NTMD6N02R2	文件：71.29 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts 文件：71.29 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD6N02R2	文件：80.25 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts 文件：80.25 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD6N02R2_05	文件：80.25 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts 文件：80.25 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD6N02R2G	文件：80.25 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts 文件：80.25 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD6N02R2G	文件：983.82 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：983.82 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
NTMD6N02R2
功能描述：
MOSFET 20V 6A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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