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NTMD6N02R2	文件：71.29 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTMD6N02R2G	文件：983.82 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
NTMD6N02R2
功能描述：
MOSFET 20V 6A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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