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NTLTS3107PR2G中文资料功率 MOSFET,−20 V,-8.3 A,单 P 沟道,Micro-8 无引线封装数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTLTS3107PR2G

功能描述

功率 MOSFET,−20 V,-8.3 A,单 P 沟道,Micro-8 无引线封装

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-8 20:00:00

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NTLTS3107PR2G规格书详情

描述 Description

功率 MOSFET,−20 V,-8.3 A,单 P 沟道,Micro-8 无引线封装

特性 Features

• Low RDS(on) for Extended Battery Life
• Surface Mount Micro8 Leadless for Improved Thermal Performance
• Low Profile (<1.0 mm) Optimal for Portable Designs
• Low Turn-On Voltage
• This is a Pb-Free Device

应用 Application

• Optimized for Load Management Applications
• Charge Control in Battery Powered Systems
• Cell Phones, DSC, Notebooks, Portable Games, etc.

技术参数

  • 型号:

    NTLTS3107PR2G

  • 功能描述:

    MOSFET PFET 8A PB

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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