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NTLTS3107PR2G中文资料功率 MOSFET,−20 V,-8.3 A,单 P 沟道,Micro-8 无引线封装数据手册ONSEMI规格书
NTLTS3107PR2G规格书详情
描述 Description
功率 MOSFET,−20 V,-8.3 A,单 P 沟道,Micro-8 无引线封装
特性 Features
• Low RDS(on) for Extended Battery Life
• Surface Mount Micro8 Leadless for Improved Thermal Performance
• Low Profile (<1.0 mm) Optimal for Portable Designs
• Low Turn-On Voltage
• This is a Pb-Free Device
应用 Application
• Optimized for Load Management Applications
• Charge Control in Battery Powered Systems
• Cell Phones, DSC, Notebooks, Portable Games, etc.
技术参数
- 型号:
NTLTS3107PR2G
- 功能描述:
MOSFET PFET 8A PB
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
7420 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON |
18+ |
DFN |
6000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
LITTELFUSEINC |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ON |
24+ |
UDFN |
65200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
DFN1.6x1.6 |
9600 |
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询价 | ||
ON |
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? |
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只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
ON |
2023+ |
MICRO-8LESS |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2447 |
UDFN-6 |
105000 |
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 |


