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NTLTS3107PR2G中文资料功率 MOSFET，−20 V，-8.3 A，单 P 沟道，Micro-8 无引线封装数据手册ONSEMI规格书
NTLTS3107PR2G规格书详情
描述 Description
功率 MOSFET，−20 V，-8.3 A，单 P 沟道，Micro-8 无引线封装
特性 Features
• Low RDS(on) for Extended Battery Life
• Surface Mount Micro8 Leadless for Improved Thermal Performance
• Low Profile (<1.0 mm) Optimal for Portable Designs
• Low Turn-On Voltage
• This is a Pb-Free Device
应用 Application
• Optimized for Load Management Applications
• Charge Control in Battery Powered Systems
• Cell Phones, DSC, Notebooks, Portable Games, etc.
技术参数
- 型号：
NTLTS3107PR2G
- 功能描述：
MOSFET PFET 8A PB
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
UDFN-6 |
39779 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
UDFN-6 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
ON |
2023+ |
MICRO-8LESS |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
ONSEMI |
25+ |
N/A |
3000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
LITTELFUSEINC |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ONSEMI |
24+ |
MICRO8 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
DFN-8 |
60000 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
DFN1.6x1.6 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ON |
18+ |
DFN |
6000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
23+ |
DFN |
12000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
