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NTJD4152P中文资料双 P 沟道,小信号 MOSFET,带 ESD 防护,-20V,-0.88A,260mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTJD4152P

功能描述

双 P 沟道,小信号 MOSFET,带 ESD 防护,-20V,-0.88A,260mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-3 18:00:00

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NTJD4152P规格书详情

描述 Description

Small Signal MOSFET -20V -0.88A 260 mOhm Dual P-Channel SC88 with ESD Protection

特性 Features

• Leading Trench Technology for Low RDS(on) Performance
• Small Footprint Package (SC70-6 Equivalent)
• ESD Protected Gate

应用 Application

• Load/Power Management
• Charging Circuits
• Load Switching
• Cell Phones, Computing, Digital Cameras, MP3s, and PDAs

技术参数

  • 制造商编号

    :NTJD4152P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :-

  • ID Max (A)

    :0.88

  • PD Max (W)

    :0.272

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=345

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=215

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :1.3

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :2.2

  • Ciss Typ (pF)

    :155

  • Package Type

    :SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6

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