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NTHS4166N中文资料单 N 沟道,ChipFET™,功率 MOSFET,30V,8.2A,24mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTHS4166N

功能描述

单 N 沟道,ChipFET™,功率 MOSFET,30V,8.2A,24mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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NTHS4166N规格书详情

描述 Description

Power MOSFET 30V, 8.2A, Single N-Channel ChipFET\u0002™ Package

特性 Features

• Trench Technology
• \u0002Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
• Leadless ChipFET™ Package has 40% Smaller Footprint than TSOP-6
• Excellent Thermal Capabilities

应用 Application

• DC-DC Conversion
• Load/Power Switch
• Low Side Switching
• Notebook PC, Printer, Cell Phone, PMP, DSC, GPS, Portable Games

技术参数

  • 制造商编号

    :NTHS4166N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.3

  • ID Max (A)

    :6.6

  • PD Max (W)

    :1.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :27

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :22

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :9.2

  • Ciss Typ (pF)

    :900

  • Package Type

    :ChipFET-8

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