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NTJD4152P	文件：93.89 Kbytes Page：5 Pages	Trench Small Signal MOSFET 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88 文件：93.89 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTJD4152P	文件：75.96 Kbytes Page：5 Pages	Trench Small Signal MOSFET 文件：75.96 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTJD4152P_15	文件：75.96 Kbytes Page：5 Pages	Trench Small Signal MOSFET 文件：75.96 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTJD4152PT1	文件：93.89 Kbytes Page：5 Pages	Trench Small Signal MOSFET 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88 文件：93.89 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTJD4152PT1G	文件：75.96 Kbytes Page：5 Pages	Trench Small Signal MOSFET 文件：75.96 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTJD4152PT1G	文件：93.89 Kbytes Page：5 Pages	Trench Small Signal MOSFET 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88 文件：93.89 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTJD4152PT2G	文件：75.96 Kbytes Page：5 Pages	Trench Small Signal MOSFET 文件：75.96 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTJD4152P	文件：300 bytes Page：1 Pages	双 P 沟道，小信号 MOSFET，带 ESD 防护，-20V，-0.88A，260mΩ Small Signal MOSFET -20V -0.88A 260 mOhm Dual P-Channel SC88 with ESD Protection • Leading Trench Technology for Low RDS(on) Performance\n• Small Footprint Package (SC70-6 Equivalent)\n• ESD Protected Gate;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
-20
VGS Max (V)：
12
ID Max (A)：
0.88
PD Max (W)：
0.272
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=345
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=215
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
1.3
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
2.2
Ciss Typ (pF)：
155
Package Type：
SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NTJD4152P供应商更新时间2025-11-23 11:01:00

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