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NVTJD4001NT1G

SmallSignalMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

TPNTA4001NT1G

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features DS=20v +RDS(ON)=300mQ(typ.)@VGS=2.5V +RDS(ON)=250mQ(typ.)@VGS=4.5 +ESDProtectedupto2KV

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    NTJD4001NT1G

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 250mA Dual N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
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SOT363
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更多NTJD4001NT1G供应商 更新时间2025-7-27 11:04:00