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NTHL080N120SC1D	文件：374.19 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - SiC Power, Single N-Channel 1200 V, 80 m, 31 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG080N120SC1	文件：322.54 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–80mohm,1200V,M1,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=80m •UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=56nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=79pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typic	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG080N120SC1	文件：387.67 Kbytes Page：3 Pages	SiCN-ChannelMOSFET FEATURES ·LowEffectiveOutputCapacitance ·UltraLowGateCharge APPLICATIONS ·MainInverters ·GeneralPurposeInverters ·DC/DCConverter ·UPS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTBG080N120SC1	文件：321.69 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,80mohm,1200V,M1,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=80m •UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=56nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=79pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typic	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG080N120SC1	文件：240.79 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET??SiCPower,SingleN-Channel,D2PAK-7L1200V,80m,30A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTC080N120SC1	文件：273.17 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET??N?륝hannel,SiliconCarbide1200V,80m	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL080N120SC1	文件：374.19 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel1200V,80m,31A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL080N120SC1	文件：365.42 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,80mohm,1200V,M1,TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=80m •UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=56nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=80pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications •U	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL080N120SC1A	文件：363.09 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–80mohm,1200V,M1,TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=80m •UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=56nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=80pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications •U	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL080N120SC1A	文件：288.69 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel1200V,80m,31A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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