NTHL023N065M3S中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	NTHL023N065M3S
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 23 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L
文件大小	460.04 Kbytes
页面数量	9 页
生产厂商	ONSEMI
中文名称	安森美半导体
网址	网址
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更新时间	2025-12-14 23:01:00
人工找货	NTHL023N065M3S价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

• Typical RDS(on) = 23 m @ VGS = 18 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 69 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 153 pF)

• 100 Avalanche Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with Exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Applications

• SMPS, Solar Inverters, UPS, Energy Storages, EV Charging

Infrastructure

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