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NTHL023N065M3S中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTHL023N065M3S

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 23 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L

文件大小

460.04 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-8 11:26:00

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NTHL023N065M3S规格书详情

特性 Features

• Typical RDS(on) = 23 m @ VGS = 18 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 69 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 153 pF)

• 100 Avalanche Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with Exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Applications

• SMPS, Solar Inverters, UPS, Energy Storages, EV Charging

Infrastructure

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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