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NTHL023N065M3S	文件：460.04 Kbytes Page：9 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 23 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L Features •TypicalRDS(on)=23m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=69nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=153pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Appli	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG023N065M3S	文件：342.49 Kbytes Page：9 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET-EliteSiC,23mohm,650V,M3S,D2PAK-7L Features TypicalRDS(ON)=23m@VGS=18V UltraLowGateCharge(QG(tot)=69nC) HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=153pF) 100%AvalancheTested ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb−Free2LI(onSecondLevelInterconnection)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBL023N065M3S	文件：583.3 Kbytes Page：10 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,23mohm,650V,M3S,TOLL Features •TypicalRDS(on)=23m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=69nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=152pF) •100%AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVBG023N065M3S	文件：342.72 Kbytes Page：9 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET-EliteSiC,23mohm,650V,M3S,D2PAK-7L Features TypicalRDS(ON)=23m@VGS=18V UltraLowGateCharge(QG(tot)=69nC) HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=153pF) 100AvalancheTested AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb−Free2LI(	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVHL023N065M3S	文件：378.1 Kbytes Page：9 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET-EliteSiC,23mohm,650V,M3S,TO-247-3L Features •TypicalRDS(on)=23m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=69nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=153pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb−Free2LI(	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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