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NTHD4502N	文件：60.96 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 30 V, 3.9 A, Dual N?묬hannel ChipFET 文件：60.96 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHD4502N	文件：110.82 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：110.82 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHD4502N_12	文件：110.82 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：110.82 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHD4502NT1	文件：60.96 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 30 V, 3.9 A, Dual N?묬hannel ChipFET 文件：60.96 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHD4502NT1G	文件：60.96 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 30 V, 3.9 A, Dual N?묬hannel ChipFET 文件：60.96 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHD4502NT1G	文件：110.82 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：110.82 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHD4502NT1G	文件：1.10507 Mbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.10507 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTHD4502N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-Channel ChipFET™ Power MOSFET 30V, 3.9A, 85mΩ This device is optimized for fast low side switching applications.It features a technology that provides a balance between low gate charge and low RDS(on) • Planar Technology Device Offers Low RDS(on) and Fast Switching Speed\n• Leadless ChipFET™ Package has 40% Smaller Footprint than TSOP-6.Ideal Device Applications Where Board Space is at a Premium.\n• ChipFET™ Package Exhibits Excellent Thermal Capabilities.Ideal for Applications Where Heat Tra;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
2.9
PD Max (W)：
1.13
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=140
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
Q1=Q2=85
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
25
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
3.6
Ciss Typ (pF)：
140
Package Type：
ChipFET-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NTHD4502N供应商更新时间2025-10-4 14:30:00

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