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NTHD4502NT1

Power MOSFET 30 V, 3.9 A, Dual N?묬hannel ChipFET

文件:60.96 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTHD4502NT1G

Power MOSFET

文件:110.82 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTHD4502NT1G

Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:1.10507 Mbytes 页数:8 Pages

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微碧半导体

NTHD4502NT1G

Power MOSFET 30 V, 3.9 A, Dual N?묬hannel ChipFET

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ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTHD4502NT1

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 3.9A Dual

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTHD4502NT1供应商 更新时间2025-10-4 15:14:00