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NTGS4111PT2G

Power MOSFET

文件:143.84 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTGS4111P

单 P 沟道,功率 MOSFET,-30V,-4.7A,60mΩ

Power MOSFET-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6 • Leading -30 V, Trench Process for Low RDS(on)\n• Low Profile Package Suitable for Portable Applications\n• Surface Mount TSOP-6 Saves Board Space\n• Improved Efficiency for Battery Applications;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    -30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    3.7

  • PD Max (W):

    0.63

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    68

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    38

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    15.25

  • Ciss Typ (pF):

    750

  • Package Type:

    TSOP-6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
23+
SOT-163
24190
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SOT-163
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ON/安森美
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SOT-163
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当天发货全新原装现货
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ONS
2023+
SOT163
50000
原装现货
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