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NTGS4111P中文资料单 P 沟道,功率 MOSFET,-30V,-4.7A,60mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTGS4111P

功能描述

单 P 沟道,功率 MOSFET,-30V,-4.7A,60mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 15:28:00

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NTGS4111P规格书详情

描述 Description

Power MOSFET-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6

特性 Features

• Leading -30 V, Trench Process for Low RDS(on)
• Low Profile Package Suitable for Portable Applications
• Surface Mount TSOP-6 Saves Board Space
• Improved Efficiency for Battery Applications

应用 Application

• Battery Management and Switching
• Load Switching
• Battery Protection

技术参数

  • 制造商编号

    :NTGS4111P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :3.7

  • PD Max (W)

    :0.63

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :68

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :38

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :15.25

  • Ciss Typ (pF)

    :750

  • Package Type

    :TSOP-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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