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NTGS3130NT1G	文件：475.8 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTGS3130N	文件：93.12 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 20 V, 5.6 A Single N-Channel, TSOP-6	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTGS3130N	文件：120.6 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTGS3130N_14	文件：120.6 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTGS3130NT1G	文件：120.6 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVGS3130N	文件：77.54 Kbytes Page：5 Pages	SingleN-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVGS3130N	文件：120.6 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
OHN3130U	文件：319.95 Kbytes Page：2 Pages	HALLOGICHALLEFFECTSENSORS Description: TheseHall-effectdevicescontainamonolithicintegratedcircuitwhichincorporatesaHallelement,alinearamplifier,athresholdamplifier,andSchmitttriggeronasingleHallogic®siliconchip.Includedon-chipisabandgapvoltageregulatortoallowoperationwithawiderang	Optek OPTEK Technologies	Optek
OHN3130U	文件：620.38 Kbytes Page：9 Pages	HallogicHall-effectSensors Description: TheseHall-effectdevicescontainamonolithicintegratedcircuitwhichincorporatesaHallelement,alinearamplifier,athresholdamplifier,andSchmitttriggeronasingleHallogic®siliconchip.Includedon-chipisabandgapvoltageregulatortoallowoperationwithawiderang	Optek OPTEK Technologies	Optek
OHS3130U	文件：319.95 Kbytes Page：2 Pages	HALLOGICHALLEFFECTSENSORS Description: TheseHall-effectdevicescontainamonolithicintegratedcircuitwhichincorporatesaHallelement,alinearamplifier,athresholdamplifier,andSchmitttriggeronasingleHallogic®siliconchip.Includedon-chipisabandgapvoltageregulatortoallowoperationwithawiderang	Optek OPTEK Technologies	Optek
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OHS3130U	文件：689.84 Kbytes Page：10 Pages	HallogicHall-EffectSensors Description: TheseHall-effectdevicescontainamonolithicintegratedcircuitwhichincorporatesaHallelement,alinearamplifier,athresholdamplifier,andSchmitttriggeronasingleHallogic®siliconchip.Includedon-chipisabandgapvoltageregulatortoallowoperationwithawiderang	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
PAM3130	文件：460.59 Kbytes Page：18 Pages	3ALowVoltage-LowDropoutCMOSRegulator	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM
PD-3130	文件：129.11 Kbytes Page：3 Pages	1.3關mWDMPINPHOTODIODES	OPTOWAY Optoway Technology Inc	OPTOWAY
PD-3130-N	文件：129.11 Kbytes Page：3 Pages	1.3關mWDMPINPHOTODIODES	OPTOWAY Optoway Technology Inc	OPTOWAY
PE3130	文件：142.53 Kbytes Page：1 Pages	CABLEASSEMBLYRG196A/USMBPLUGTOSMBJACKBULKHEAD	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PE3130LF	文件：159.1 Kbytes Page：1 Pages	cableassembly,rg196a/u,smbplugtosmbjackbulkhead(leadfree)	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PFA3130	文件：62.03 Kbytes Page：1 Pages	FanAccessories	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
PST3130	文件：177.66 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSystemReset Outline ThisICisasystemresetICdevelopedusingtheCMOSprocess.Superlowconsumptioncurrentof0.25µAtyp.hasbeenachievedthroughuseoftheCMOSprocess.Also,detectionvoltageishighprecisiondetectionof±2. Features 1.Superlowconsumptioncurrent0.25µAtyp.(whenVDD	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI

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详细参数

型号：
NTGS3130
功能描述：
MOSFET POWER MOSFET 20V 5.6A SNGL CH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NTGS3130供应商更新时间2024-9-24 14:13:00

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