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NTGS3130NT1G

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters, High Speed Switching

文件:475.8 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTGS3130N

Power MOSFET 20 V, 5.6 A Single N-Channel, TSOP-6

文件:93.12 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTGS3130N

Power MOSFET

文件:120.6 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTGS3130N_14

Power MOSFET

文件:120.6 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTGS3130NT1G

Power MOSFET 20 V, 5.6 A Single N-Channel, TSOP-6

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ONSEMI

安森美半导体

NTGS3130NT1G

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTGS3130N

单 N 沟道,功率 MOSFET,20V,5.6A,24mΩ

Power MOSFET 20 V, 5.6 A, Single N-Channel, TSOP-6 • Leading Edge Trench Technology for LowOn Resistance\n• Small Size (3 x 2.75 mm) TSOP-6 Package;

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTGS3130

  • 功能描述:

    MOSFET POWER MOSFET 20V 5.6A SNGL CH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
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SOT23-6
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更多NTGS3130供应商 更新时间2026-3-17 20:02:00